SüKuN
Harbi Aktif Üye
MOSFET, Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor yani Geyt Ucu Kanal Maddesinden Yalıtılmış Alan Etkili Transistör demektir. Mosfetler dijital ve analog devrelerde pek sık kullanılan bir transistör türüdür.
Gate (G) ucu kanal maddesinden oksit tabakalarıyla (silikon nitrat ve silikon oksit) yalıtılmış FET’lere MOSFET denir.
MOSFET çeşitleri şunlardır:
a. Azaltan Kanallı (Depletion, Deplasyon) MOSFET'ler
Kanal bölgesinde elektron ya da oyuk azaltma ilkesine göre çalışan elemandır. Azaltan kanallı MOSFET’lerde G ucuna uygulanan gerilimin değeri 0V iken D-S arasından bir miktar akım (I DSS ) geçişi olmaktadır. G ucuna uygulanan gerilim pozitif yönde yükseltildiğinde D-S arasından geçen akım daha fazla artmakta, G ucuna uygulanan gerilim negatif yönde yükseltildiğinde ise D-S arasından geçen akım azalmaktadır.
Azaltan kanallı MOSFET Sembolleri
Azaltan Kanallı MOSFET'in yapısı
Azaltan Kanallı MOSFET Tipleri
I. N kanallı azaltan MOSFET'ler:
Bunlarda akım D’den S’ye, N tipi maddenin içinden geçer.
II. P tipi azaltan kanallı MOSFET'ler:
Bunların yapısı N kanallıya benzer. Akım S’den D’ye doğru geçer.
b. Çoğaltan Kanallı (Enhancement)
MOSFET'ler Kanal bölgesinde elektron ya da oyuk çoğaltma ilkesine göre çalışan devre elemanlarıdır. Bu tip MOSFET'lerde G ucuna gerilim uygulanmadığı sürece D-S arasında akım geçişi olmamaktadır.
Çoğaltan kanallı MOSFET sembolleri
Çoğaltan kanallı MOSFET'lerin yapısı
Çoğaltan kanallı MOSFET tipleri
I. N Kanallı Çoğaltan MOSFET'ler
Şekil 12.8'de yapısı verilen bu tip MOSFET'lerde gövde olarak P tipi yarı iletken kullanılmıştır. Gövdenin iki ayrı kısmına iki adet N tipi madde yerleştirilmiş ve bunlardan D-S uçları çıkarılmıştır. N maddelerinin üst yüzey aralığına gelecek biçimde yerleştirilen G ucu çok ince bir silisyum oksit ve silisyum nitrat tabakasıyla diğer uçlardan yalıtılmıştır. Bu tip MOSFET’lerde U G gerilimi 0 V tan itibaren pozitif yönde artırılacak olursa P tipi maddenin birleşim yüzeyine yakın olan kısmında eksi (-) yüklü elektronlar toplanır. Bu bölgede biriken eksi (-) yükler ise D-S arasında akım geçişinin başlamasına yol açan kanal görevini üstlenir.
II. P Kanallı Çoğaltan MOSFET'ler
P kanallı MOSFET'ler N kanallı MOSFET'lere benzer. Sadece akım taşıyıcı olarak artı yüklü oyuklar görev yapar. Bu tip MOSFET'lerde de G’ye uygulanan gerilim 0 V iken D-S arasından akım geçişi olmaz. G ucuna uygulanan gerilim negatif yönde artırılınca P tipi maddenin birleşim yüzeyine yakın olan kısmında artı (+) yüklü oyuklar toplanır. Ve bu bölgede biriken artı (+) yüklü oyuklar D-S arasında akım geçişinin başlamasına yol açarak kanal görevini üstlenir.
MOSFET'lerin Bazı Özellikleri
Gate (G) ucu kanal maddesinden oksit tabakalarıyla (silikon nitrat ve silikon oksit) yalıtılmış FET’lere MOSFET denir.
MOSFET çeşitleri şunlardır:
a. Azaltan Kanallı (Depletion, Deplasyon) MOSFET'ler
Kanal bölgesinde elektron ya da oyuk azaltma ilkesine göre çalışan elemandır. Azaltan kanallı MOSFET’lerde G ucuna uygulanan gerilimin değeri 0V iken D-S arasından bir miktar akım (I DSS ) geçişi olmaktadır. G ucuna uygulanan gerilim pozitif yönde yükseltildiğinde D-S arasından geçen akım daha fazla artmakta, G ucuna uygulanan gerilim negatif yönde yükseltildiğinde ise D-S arasından geçen akım azalmaktadır.
Azaltan kanallı MOSFET Sembolleri
Azaltan Kanallı MOSFET'in yapısı
I. N kanallı azaltan MOSFET'ler:
Bunlarda akım D’den S’ye, N tipi maddenin içinden geçer.
II. P tipi azaltan kanallı MOSFET'ler:
Bunların yapısı N kanallıya benzer. Akım S’den D’ye doğru geçer.
b. Çoğaltan Kanallı (Enhancement)
MOSFET'ler Kanal bölgesinde elektron ya da oyuk çoğaltma ilkesine göre çalışan devre elemanlarıdır. Bu tip MOSFET'lerde G ucuna gerilim uygulanmadığı sürece D-S arasında akım geçişi olmamaktadır.
Çoğaltan kanallı MOSFET sembolleri
Çoğaltan kanallı MOSFET'lerin yapısı
I. N Kanallı Çoğaltan MOSFET'ler
Şekil 12.8'de yapısı verilen bu tip MOSFET'lerde gövde olarak P tipi yarı iletken kullanılmıştır. Gövdenin iki ayrı kısmına iki adet N tipi madde yerleştirilmiş ve bunlardan D-S uçları çıkarılmıştır. N maddelerinin üst yüzey aralığına gelecek biçimde yerleştirilen G ucu çok ince bir silisyum oksit ve silisyum nitrat tabakasıyla diğer uçlardan yalıtılmıştır. Bu tip MOSFET’lerde U G gerilimi 0 V tan itibaren pozitif yönde artırılacak olursa P tipi maddenin birleşim yüzeyine yakın olan kısmında eksi (-) yüklü elektronlar toplanır. Bu bölgede biriken eksi (-) yükler ise D-S arasında akım geçişinin başlamasına yol açan kanal görevini üstlenir.
II. P Kanallı Çoğaltan MOSFET'ler
P kanallı MOSFET'ler N kanallı MOSFET'lere benzer. Sadece akım taşıyıcı olarak artı yüklü oyuklar görev yapar. Bu tip MOSFET'lerde de G’ye uygulanan gerilim 0 V iken D-S arasından akım geçişi olmaz. G ucuna uygulanan gerilim negatif yönde artırılınca P tipi maddenin birleşim yüzeyine yakın olan kısmında artı (+) yüklü oyuklar toplanır. Ve bu bölgede biriken artı (+) yüklü oyuklar D-S arasında akım geçişinin başlamasına yol açarak kanal görevini üstlenir.
MOSFET'lerin Bazı Özellikleri
- Güç harcamaları çok azdır.
- İç kapasiteleri düşüktür.
- Mekanik dayanımları fazladır.
- Çok hassas yapılı olduklarından statik elektriklenmelerde bozulabilirler. O nedenle montaj işlemlerinin topraklanmış havya ile yapılması gerekir.
Son düzenleme moderatör tarafından:
